特許
J-GLOBAL ID：200903046592446273
ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339371
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152604
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 大電流で動作可能で、絶縁性が高く、十分な輝度が得られ、耐久性の高いダイヤモンド半導体による発光素子を得る。【構成】 絶縁性基板1上の所定の位置に、単一核より、ダイヤモンド半導体2を形成し、このダイヤモンド結晶上に、独立にショットキー接合電極3とオーミック接合電極4とを形成し、この電極間に直流電源5により順方向に電圧を印加して、前記ダイヤモンド結晶に電界発光を生じさせることを特徴とするダイヤモンド半導体装置。また、pn接合を含むダイヤモンド半導体装置において、p型半導体部分がホウ素を不純物として含み、n型半導体部分がリチウムを不純物として含むことにより、大電流で動作可能かつ耐久性の高いダイヤモンド半導体装置を作成する。
請求項（抜粋）：
気相合成法により形成されるpn接合を含むダイヤモンド半導体において、p型半導体部分がホウ素を不純物として含み、n型半導体部分がリチウムを不純物として含むことを特徴とするpn接合を含むダイヤモンド半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H05B 33/14
