特許

J-GLOBAL ID：200903046593350547

炭化ケイ素質ダミーウェハ

発明者： 岡田 雅樹 ,  野上 暁 ,  平野 博之 ,  今村 和広 ,  吉本 義明 ,  喜久 秀樹
出願人/特許権者： 東洋炭素株式会社
代理人 (1件)： 梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271510
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097960
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 加工後の反りが非常に少なく、高温時に変形しにくく、長期間繰り返し使用しても十分耐えることができ、しかも安価な炭化ケイ素質ダミーウェハを提供する。【解決手段】 半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、半導体材料のウェハとほぼ同じ形状及び厚さに成形された高純度シリコンからなる基板の表面に、化学気相蒸着法に生じた炭化ケイ素膜を少なくとも1層形成されてなる炭化ケイ素質ダミーウェハとした。

請求項（抜粋）：

半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、半導体材料のウェハとほぼ同じ形状及び厚さに成形された高純度シリコンからなる基板の表面に、化学気相蒸着法により生じた炭化ケイ素膜が少なくとも1層形成されてなることを特徴とする炭化ケイ素質ダミーウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 A