特許

J-GLOBAL ID：200903046595158384

Fe-Rh磁性薄膜及びその作製方法

発明者： 吉村 文一 ,  大谷 佳光 ,  畠山 巌
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024101
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235420
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 薄膜中の応力を緩和して、4000Å以上の厚さの膜形成を可能とし、バルク特性とほぼ同等の急峻な磁化遷移を示すFe-Rh規則磁性薄膜の作製を可能にする。【構成】 基板1上にFexRh(1-x)なる組成の磁性薄膜層2と、圧縮応力を発生する融点が1000°C以上の非磁性薄膜3を交互に少なくとも4層以上を積層する。ただし、0.45≦X≦0.55である。

請求項（抜粋）：

基板上にFexRh(1-x)(0.45≦X≦0.55)なる組成の磁性薄膜層と、圧縮応力を発生する融点が1000°C以上の非磁性薄膜層を交互に少なくとも4層以上を積層したことを特徴とするFe-Rh磁性薄膜。

IPC (3件)：

H01F 10/14 ,  C23C 14/06 ,  H01F 41/18