半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-131477
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324072
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】シャワーヘッドから半導体ウエハに向けて吹き付けるプロセスガスの吹出し量を半導体ウエハ全面に渡り均一にする。【解決手段】半導体ウエハへの成膜あるいはエッチング処理を行なう真空処理室と、真空処理室内にプロセスガスを導入するガス導入部と、導入されたプロセスガスを均一に拡散させるためのシャワーヘッドとを有し、シャワーヘッドの半導体ウエハ対向面には、半導体ウエハにプロセスガスを吹き付ける複数のガス吹出し穴が均等密度に配置されて開けられたプレートが設けられている半導体製造装置において、プレート9aに開けられたガス吹出し穴5aのそれぞれは大口径穴部6と小口径穴部7を有する段付穴からなり、かつシャワーヘッド内のプロセスガスの圧力分布に応じて段位置を変化させて形成され、各ガス吹出し穴5aからのガス吹出し量を均一にするようにした。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハへの成膜あるいはエッチング処理を行なう真空処理室と、真空処理室内にプロセスガスを導入するガス導入部と、導入されたプロセスガスを均一に拡散させるためのシャワーヘッドとを有し、シャワーヘッドの半導体ウエハ対向面には、半導体ウエハにプロセスガスを吹き付ける複数のガス吹出し穴が均等密度に配置されて開けられたプレートが設けられている半導体製造装置において、前記プレートに開けられたガス吹出し穴のそれぞれは大口径穴部と小口径穴部を有する段付穴からなり、かつシャワーヘッド内のプロセスガスの圧力分布に応じて段位置を変化させて形成され、各ガス吹出し穴からのガス吹出し量を均一にすることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01L 21/302 101 G

Fターム (14件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 5F004BA04 , 5F004BB28 , 5F004BD04 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045BB02 , 5F045EF05 , 5F045EF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-153056 出願人：株式会社東芝

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