特許
J-GLOBAL ID：200903046599250846
配線構造およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-131182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323476
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 銅を用いた配線におけるエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】 配線105aの層間絶縁膜102における露出面を窒化することで、窒化層111を形成する。その窒化層111の形成のための窒化処理は、たとえば、窒素ガスもしくはアンモニアガスのいずれかもしくは両方を用い、それらガス雰囲気で上述した配線105aを加熱処理することで行う。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された絶縁体からなる層間膜と、この層間膜上に形成された銅からなる配線と、この配線の露出面に形成された銅の窒化物からなる窒化層と、前記配線および前記層間膜上に形成されたシリコン窒化物からなる表面保護膜とを少なくとも備えたことを特徴とする配線構造。
Fターム (16件)：
5F033HH11
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH34
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033QQ78
, 5F033QQ90
, 5F033XX05
, 5F033XX14
