特許

J-GLOBAL ID：200903046601201688

薄膜光センサ

発明者： 金子 好之 ,  山口 宗明 ,  筒井 謙
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036001
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235398
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】明暗電流比を改善向上した光センサ用途の非晶質シリコン薄膜トランジスタを提供する。【構成】半導体層4に関し、ゲート電極2とは反対側に絶縁膜を介して透明なゲート補助電極10を設け、これに固定の電圧を印加して駆動する。【効果】半導体層の電位浮遊の界面の制御が確実になり、その結果、明暗電流比が安定する。

請求項（抜粋）：

少なくともゲート電極,ゲート絶縁膜である第一の絶縁膜,半導体層,ソース電極およびドレイン電極を有し、前記半導体層に関し前記ゲート電極とは反対側に第二の絶縁膜を介して導電性のゲート補助電極を含む薄膜光センサであって、前記ゲート補助電極が透明電極で形成され、光が透明電極側から入射され、前記ゲート補助電極の電位を固定して駆動することを特徴とする薄膜光センサ。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 31/10 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 29/78 311 J