半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080817
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135170
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】一度のパターン転写プロセスでチップ内に多種類の量の不純物ドーピングを行うことができる多値不純物ドーピング方法。【構成】シリコン基板20上に感光特性の異なるポジ型レジスト23a,23bを続けて塗布した多層レジスト膜23を形成し、透過率の大きさがA<B<Cの3通りに設定されたレチクル26を用い、紫外光27を照射する(a)。現像処理し、レチクル26の透過率に対応して異なるレジスト膜厚を得る(b)。この異なる残厚を有するレジストをマスクにしてイオン打ち込みを行う(c)。シリコン基板20中に3通りの不純物量(ゼロも1通りと数える)がドーピングされる(d)。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に光エネルギをマスキング材を介して照射し、この照射された光エネルギに対応した情報を前記半導体チップ上に転写し、該転写情報に基づいて前記半導体チップ上に所望の不純物ドーピングを行う半導体装置の製造方法において、前記マスキング材として光エネルギの透過率がn+1通り(n≧2)の値を有するマスク又はレチクルを使用し、このマスキング材を介して得られるn+1通り(n≧2)の強度を有する前記光エネルギを前記半導体チップ上に同時に照射することによって前記半導体チップ内でn+1通りの不純物ドーピング量を設定するための多値情報を前記半導体チップ上に転写し、該転写多値情報に基づいて多値不純物ドーピングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/26 511 , H01L 21/22 , H01L 21/266

FI (2件)：

H01L 21/30 573 , H01L 21/265 M

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