特許
J-GLOBAL ID：200903046607114000
レーザアニール装置およびレーザアニール方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西教 圭一郎
, 杉山 毅至
, 廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-170916
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011840
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】1枚の基板内での膜厚分布に起因するレーザアニール後の多結晶Si膜特性のばらつきを低減することを可能にする。【解決手段】レーザアニール装置1においては、非晶質Si膜7の平面上において複数に区分された領域毎の膜厚を膜厚測定手段4によって測定し、膜厚測定出力に応答して、制御手段5が、光源2の発振出力または照射光学系3の光量を調整することによって、レーザ光の非晶質Si膜に対する照射エネルギ密度を制御する。したがって、1枚の基板6内において区分された領域毎に最適な照射エネルギ密度でアニール処理することができるので、アニール後の多結晶Si膜の結晶特性を均一化することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された被照射膜に対してレーザ光を照射してアニール加工を施すレーザアニール装置において、
レーザ光を出射する光源と、
光源から出射されるレーザ光を被照射膜へ導くとともにレーザ光の光量を可変に調整することのできる照射光学系と、
被照射膜をその平面上において複数の領域に区分し、区分された領域毎の膜厚を測定する膜厚測定手段と、
膜厚測定手段の出力に応答し、光源の発振出力または照射光学系の光量を調整することによって、レーザ光の被照射膜に対する照射エネルギ密度を制御する制御手段とを含むことを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F052AA02
, 5F052BB07
, 5F052CA07
, 5F052DA02
, 5F052JA01
