特許

J-GLOBAL ID：200903046610109042

半導体レーザ

発明者： 堀川 英明 ,  上條 健 ,  松井 康浩 ,  城間 真
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225545
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077587
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 横モード制御、放射パターンの制御が容易であり、長期にわたり高い信頼性を得ることができる半導体レーザを提供する。【構成】 エルビゥムドープファイバ光増幅器用の半導体レーザにおいて、Alの比率が徐々に増加されるクラッド層12、クラッド層13、Alの比率を変化させたクラッド層14、この層より屈折率の低いクラッド層15、Alの比率を徐々に減少させたクラッド層16、歪み量子井戸活性層17、Alの比率を徐々に増加させたクラッド層18、エッチングストップ層としての第3クラッド層19、Alの比率を徐々に減少させ、前記第3クラッド層の屈折率より高いリッジストライプ形状のクラッド層20、リッジストライプ形状のクラッド層21、Alの比率が徐々に減少されるリッジストライプ形状のクラッド層22、とを順次形成する。

請求項（抜粋）：

(a)第1導電型のGaAs基板と、(b)該基板上に形成され、Alの比率が20%まで徐々に増加される第1導電型のAlGaAsグレイデッドクラッド層と、(c)該グレイデッドクラッド層上に形成され、Alの比率が約20%の第1導電型のAlGaAs第1クラッド層と、(d)該第1クラッド層上にAlの比率を20%から40%まで変化させた第1導電型のAlGaAsグレイデッドクラッド層と、(e)該グレイデッドクラッド層上に形成され、該グレイデッドクラッド層より屈折率の低い第1導電型のInGaP第2クラッド層と、(f)第2クラッド層上に形成され、Alの比率を40%から10%まで徐々に減少させたAlGaAsグレイデッドクラッド層と、(g)該グレイデッドクラッド層上に形成され、GaAs/InGaAs歪み量子井戸活性層と、(h)該活性層上に形成され、Alの比率を10%から40%まで徐々に増加させたAlGaAsグレイデッドクラッド層と、(i)該グレイデッドクラッド層上に形成されるエッチングストップ層としての第2導電型のInGaP第3クラッド層と、(j)該第3クラッド層上に形成され、Alの比率を40%から20%まで徐々に減少させ、前記第3クラッド層の屈折率より高いリッジストライプ形状の第2導電型のAlGaAsグレイデッドクラッド層と、(k)該グレイデッドクラッド層上に形成され、Alの比率が約20%のリッジストライプ形状の第2導電型のAlGaAs第4クラッド層と、(l)該第4クラッド層上に形成され、Alの比率が20%まで徐々に減少されるリッジストライプ形状の第2導電型のAlGaAsグレイデッドクラッド層と、(m)該グレイデッドクラッド層上に形成される第2導電型のGaAsコンタクト層と、(n)該コンタクト層上を除き形成される絶縁膜と、(o)前記コンタクト層に接続される第2導電型電極と、(p)前記基板に接続される第1導電型電極とを具備することを特徴とする半導体レーザ。