半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030791
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234471
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】半導体基板とゲート絶縁膜の界面部分に、混入元素の濃度を高めた層を作製することでゲート絶縁膜の実効誘電率を高め、ゲート絶縁膜として必要な物理膜厚を低減することを目的とする。【解決手段】半導体基板14と、半導体基板14上に形成されたアモルファスSi<SB>1-y</SB>M<SB>y</SB>O<SB>2</SB>(0.1≦y≦1 MはZr、Hf、Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ge、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのいずれか一種類以上から選ばれる金属)からなる第1のゲート絶縁膜13と、第1のゲート絶縁膜13上に形成されたアモルファスSi<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>O<SB>2</SB>(0<x≦0.5かつx<y MはZr、Hf、Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ge、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのいずれか一種類以上から選ばれる金属)からなる第2のゲート絶縁膜12と、第2のゲート絶縁膜12上に形成されたゲート電極11とを具備することを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたアモルファスSi<SB>1-y</SB>M<SB>y</SB>O<SB>2</SB>(0.1≦y≦1 MはZr、Hf、Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ge、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのいずれか一種類以上から選ばれる金属)からなる第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成されたアモルファスSi<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>O<SB>2</SB>(0<x≦0.5かつx<y MはZr、Hf、Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ge、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのいずれか一種類以上から選ばれる金属)からなる第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G

Fターム (28件)：

5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE02 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF07 , 5F140BG30

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