特許
J-GLOBAL ID：200903046612978161
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182957
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038348
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路の動作の高速性と汎用性を失うことなく動作電源電圧を低下させる。【構成】 半導体集積回路の負荷を構成するPMOSトランジスタ(M403,M405)のゲートとドレインを、それぞれNMOSトランジスタ(M401,M408)のソースとゲートに接続し、NMOSトランジスタのソース・ゲート間に所定の電圧が生成される電流値でNMOSトランジスタを電流駆動する。
請求項（抜粋）：
第1の電源に一端がそれぞれ接続された互いに逆導電型の第1および第2のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタの前記第1の電源に接続されていない方の一端と前記第2のトランジスタの制御端子、および前記第2のトランジスタの前記第1の電源に接続されていない方の一端と前記第1のトランジスタの制御端子とがそれぞれ接続されていることを特徴とする半導体集積回路。
引用特許：
前のページに戻る
