特許
J-GLOBAL ID：200903046617510583
光起電力素子及びその製造方法、並びにそれを用いた発電システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077512
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、光励起キャリアーの再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子及びその製造方法並びにそれを用いた発電システムを提供することを目的とする。【構成】 多結晶シリコン、または単結晶シリコンから構成されたn(p)型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンから構成された第1のp(n)型層、非単結晶半導体材料からなるn(p)型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のp(n)型層が順次積層された光起電力素子に於いて、該i型層はシリコン原子と炭素原子とを少なくとも含有し、層厚方向にバンドギャップがなめらかに変化し、バンドギャップの極小値の位置が層厚の中央の位置より第2のp型層(p型層)側に片寄っていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン、または単結晶シリコンから構成されたn(p)型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンから構成された第1のp(n)型層、非単結晶半導体材料からなるn(p)型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のp(n)型層が順次積層された光起電力素子に於いて、該i型層はシリコン原子と炭素原子とを少なくとも含有し、層厚方向にバンドギャップがなめらかに変化し、バンドギャップの極小値の位置が層厚の中央の位置より第2のp型層(p型層)側に片寄っていることを特徴とする光起電力素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 W
, H01L 31/04 Y
