MIS型半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183448
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029522
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】短チャネル時のしきい値の低下を抑え、ゲート加工のばらつきによるしきい値のばらつきを低減し、高い移動度を持つMIS型半導体装置を提供すること。【構成】チャネル領域の半導体基板表面5を低濃度にし、内部に表面濃度よりも高濃度な埋込領域6、7を反転層形成時に基板表面から広がる空乏層の深さよりも浅く設ける。高濃度埋込領域のうちチャネルの端からチャネル領域へ一定距離Lpの領域7の濃度をチャネル中央部の領域6の高濃度領域よりも高くする。【効果】チャネル長が短くなることによるしきい値の低下は、一定距離Lpの高濃度埋込領域7の割合が大きくなることによるしきい値の上昇によりほほ相殺される。チャネルが形成される基板表面5は低濃度であるので、高移動度を達成することができる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域である半導体基板の低不純物濃度の表面領域と、該表面領域下部の前記半導体基板の内部に設けられ前記表面領域より高不純物濃度である高不純物濃度領域とを具備したMIS型半導体装置において、前記高不純物濃度領域は前記チャネル領域の中央部直下の中央部高不純物濃度領域と前記チャネル領域の端部の両側あるいは片側の直下の端部高不純物濃度領域とから構成され、該中央部高不純物濃度領域の不純物濃度より該端部高不純物濃度領域の不純物濃度が高く設定されてなることを特徴とするMIS型半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 X

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平1-120067
特開平1-280358
特開昭61-292963

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審査官引用 (4件)

特開平1-120067
特開平1-280358
特開昭61-292963

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