特許
J-GLOBAL ID：200903046622378987
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329710
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144784
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを用いずに、GaAs/AlGaAs積層系の選択異方性エッチングを高精度に行う。【構成】 ベルジャー14の内壁面にSiS2 等からなるS(イオウ)系材料層23を配し、このS系材料層23とECRプラズマPとの接触面積を昇降式シャッタ24の操作により調節可能とした有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置を使用した。この装置内でSF6 /Cl2 混合ガスを用いてHEMTのゲート・リセス加工を行う場合、上記接触面積を最適化しておけばSで側壁保護を行いながら異方性加工が行える。下地選択性は、蒸気圧の低いAlF3 の生成により達成される。堆積したSは、ウェハ加熱により昇華除去できる。オーバーエッチング時に上記接触面積を増大させれば、異方性,選択性が一層改善される。
請求項（抜粋）：
Alを含む化合物半導体層の上に積層されたAlを含まない化合物半導体層を選択的に除去するドライエッチング方法において、処理チャンバの内壁部の少なくとも一部がイオウ系材料層により被覆されてなり、かつ該イオウ系材料層とプラズマとの接触面積を可変となし得るシャッタ部材を備えたプラスマ装置に少なくともフッ素系化合物を含むエッチング・ガスを導入し、前記イオウ系材料層から前記接触面積に応じて供給されるイオウおよび/またはイオウ系材料を被エッチング基板の表面に堆積させながらエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
