特許

J-GLOBAL ID：200903046623126973

発光ダイオードアレイ及びその製造方法

発明者： 荻原 光彦 ,  谷中 真澄 ,  清水 孝篤
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204231
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 発光ダイオードアレイの発光効率と寿命の向上を図り得る発光ダイオードアレイ及びその製造方法を提供する。【構成】 n型化合物半導体基板にZnを選択的に拡散してなる発光ダイオードアレイにおいて、拡散領域内の一部に形成される接合深さの浅い拡散層13bと、この接合深さの浅い拡散層13bの周囲に形成される接合深さの深い拡散層13aと、前記接合深さの浅い拡散層13bにコンタクトをとるp側電極としてのAl電極14とを設ける。

請求項（抜粋）：

n型化合物半導体基板にZnを選択的に拡散してなる発光ダイオードアレイにおいて、(a)拡散領域内の一部に形成される接合深さの浅い拡散層と、(b)該接合深さの浅い拡散層の周囲に形成される接合深さの深い拡散層と、(c)前記接合深さの浅い拡散層にコンタクトをとるp側電極とを具備する発光ダイオードアレイ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-040285
  
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324599   出願人：沖電気工業株式会社