特許

J-GLOBAL ID：200903046623333030

シリコン-オキシ-カーバイド半導体の表面層の表面処理焼き鈍し

発明者： ヒュイリ シャオ ,  カート ジョージ ステイナー ,  スーザン クレイ ヴィトカヴェージ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363961
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210634
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体表面および半導体製品の表面処理方法を提供する。【解決手段】 蒸着した半導体表面層は、表面の脱ヒドロキシル化を促進する目的で、半導体表面層上で、シリコンに付着アルキル終端化学的物体を結合することによって半導体の表面層を不動態化するために、化学蒸着チャンバのアルキル環境内で処理され、焼き鈍される。半導体表面層は、分子レベルで、約5〜約20%の範囲の炭素量を含み、約2.5〜約3.0の誘電率を持つポリシリコン-オキシ-カーバイド表面層を含む。

請求項（抜粋）：

半導体表面層が、分子レベルで、約5〜約20%の範囲の炭素量を含み、約2.5〜約3.0の誘電率を持つ、蒸着されたポリシリコン-オキシ-カーバイド層を含む場合に、半導体表面層を処理する方法であって、化学蒸着チャンバ内に半導体基板を設置するステップと、前記半導体表面層を加熱するステップと、前記表面の脱ヒドロキシル化を促進する目的で、前記表面層上で、シリコンに付着アルキル終端化学的物体を結合することによって前記表面を不動態化するために、化学蒸着チャンバのアルキル環境内で前記半導体表面層を焼き鈍すステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L 21/316 P ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/42