特許
J-GLOBAL ID：200903046623593385
半導体装置とその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176844
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026631
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子を配線基板に実装した半導体装置において、基板に対する厳しい平坦性を要求しないで信頼性の高い半導体素子の実装方法を提供する。【解決手段】 導電性ペーストで突起状電極1を形成した多層配線基板において、この突起状電極の先端部分に導電性接着剤6を塗布後、レベリングすることで、先端部分の高さがコプラナリティを有する突起状電極を備えた多層配線基板を得る。この基板に、導電性接着剤と封止樹脂9の組み合わせ、あるいは、異方性導電シートを用いて半導体素子7を実装する。導電性接着剤を塗布後の突起状電極がコプラナリティを有しているので、半導体素子を高い信頼性で実装することができる。また、従来の方法では実装することが困難であった、ある程度の平坦性の悪い基板上への半導体素子の実装を可能にする。
請求項（抜粋）：
裏面に電極面を配設した半導体素子と、導電性接着剤により形成された先端部が面一にレベル調節された複数の突起状電極を表面に有する多層配線基板と、半導体素子の電極と突起状電極の先端とを電気的接合して半導体素子と多層配線基板との間隙に充填された収縮性絶縁樹脂層と、から成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H05K 1/18 L
