特許
J-GLOBAL ID：200903046624019550
半導体装置の製造方法およびそれに適したランプ加熱装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-027862
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226272
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハに形成された素子のP-N接合でのツェナ電圧の半導体ウェーハ面内のばらつきを補正して、予め設定した一定値になるように加熱調節する。【構成】 基台21上にメタルチャンバ22を介して裏面に反射板23を有する蓋体24を熱拡散用石英板29とともに着脱自在に設け、基台21に半導体ウェーハWの裏面からも光(熱線)を照射して温度分布を調節できる反射鏡30を設ける。半導体ウェーハWの中央部の上方にキャノン・アークランプ26を上下動自在に取り付け、このランプ26の上下動と反射鏡30の角度調節により、半導体ウェーハ表面温度に任意の分布をもたせ温度調節をすることにより、予め設定されたツェナ電圧を得る。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハに多数形成されたPN接合を有する素子のP-N接合の逆崩壊電圧の分布に応じて、予め設定された所定の逆崩壊電圧の値にすべく前記ウェーハに温度分布をもたせて加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 21/26
, H01L 21/324
