特許

J-GLOBAL ID：200903046624107611

気相成長装置および半導体装置の製造方法

発明者： 大橋 弓弦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310512
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131751
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】【課題】 ターボポンプ周辺から発生するパーティクルを減少させ、ウエハ成膜の歩留と品質の向上を図る。装置稼働率の向上。【解決手段】 反応室1側面にはクリーニングガス導入口5を有しており、クリーニングガス導入口5はクリーニングガス導入管22にてアプリケータ18と接続している。ターボポンプ吸気口12にクリーニングガス導入口6を複数取り付ける。クリーニングガス導入口6はクリーニングガス導入管22にてアプリケータ18と接続している。ゲートバルブ9を開けターボポンプ11により反応室1を真空に引き反応ガスを供給してウエハ2上に成膜を行う。成膜後、ウエハ2を搬出し、ゲートバルブ9を閉じた後、反応室1とターボポンプ11にクリーニングガスを供給して両者を同時にクリーニングする。

請求項（抜粋）：

反応室と、該反応室内を排気するポンプと、反応ガスを前記反応室内に設けられた反応ガス導入口を介して前記反応室に導入する反応ガス供給管と、クリーニングガスを前記反応室内に設けられたクリーニングガス導入口を介して前記反応室に導入する反応室クリーニングガス供給管と、クリーニングガスを前記ポンプ内に設けられたクリーニングガス導入口を介して前記ポンプ内に導入するポンプクリーニングガス供給管と、を有することを特徴とする気相成長装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

Fターム (15件)：

4K030DA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030KA28 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EB09 ,  5F045EC07 ,  5F045EE13 ,  5F045EG01 ,  5F045EG03 ,  5F045EH18