特許
J-GLOBAL ID：200903046624262218
フォトマスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240636
公開番号（公開出願番号）：特開平11-084627
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：
【要約】【課題】 設計どうりのOPC(光近接効果補正)パターンを有するフォトマスクを製造することにより、半導体基板上に所望の感光性樹脂パターンを得る。また、OPCパターンの丸まりを改善することにより、マスク検査における疑似欠陥の検出を防止する。【解決手段】 透明基板1上に第1の遮光膜2aと第2の遮光膜2bが順次成膜されたマスク基板を用い、1回目の描画で第2の遮光膜2bにメインパターンを形成する。続いて、2回目の描画を行い、第1の遮光膜2aにOPCパターンを形成する。このようにメインパターンとOPCパターンを別々の描画を行い形成することによりOPCパターンの精度を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
結像面に転写するメインパターンと前記メインパターンの形状を改善するためのOPCパターンを有するフォトマスクの製造方法において、前記メインパターンと前記OPCパターンを別の描画工程にて形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G03F 1/08 K
, G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
