半導体ウエハの不純物の測定方法及び半導体ウエハの不純物の測定プログラム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-181790
公開番号（公開出願番号）：特開2002-372525
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】複数の手法により得られた深さ方向濃度分布のうち、どの手法により得た深さ方向濃度分布が真もしくは真に近い分布であるのかを判断することが可能な半導体ウエハの不純物の測定方法を提供する。【解決手段】化学分析法、核反応法またはラザフォード後方散乱法により半導体ウエハ中の不純物の面濃度を測定することにより基準面濃度を得ると共に、前記半導体ウエハ中の前記不純物の深さ方向濃度分布を複数の手法により測定する工程と、複数の深さ方向濃度分布それぞれを面濃度に変換する工程4と、前記変換された面濃度のうち前記基準面濃度に最も近い値を選択し、前記選択した面濃度を与えた深さ方向濃度分布を正しい深さ方向濃度分布と判定する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

不純物を含む半導体ウエハについて、化学分析法、核反応法またはラザフォード後方散乱法により前記半導体ウエハ中の前記不純物の面濃度を測定することにより基準面濃度を得ると共に、前記半導体ウエハ中の前記不純物の深さ方向濃度分布を複数の手法により測定し、複数の深さ方向濃度分布を得る工程と、前記複数の深さ方向濃度分布それぞれを面濃度に変換する工程と、前記変換された面濃度のうち前記基準面濃度に最も近い値を選択し、前記選択した面濃度を与えた深さ方向濃度分布を正しい深さ方向濃度分布と判定する工程とを具備することを特徴とする半導体ウエハの不純物の測定方法。

IPC (7件)：

G01N 33/00 , G01N 1/28 , G01N 23/203 , G01N 23/225 , G01N 27/62 , G01N 31/00 , H01L 21/66

FI (9件)：

G01N 33/00 A , G01N 23/203 , G01N 23/225 , G01N 27/62 V , G01N 31/00 N , G01N 31/00 Q , G01N 31/00 S , H01L 21/66 N , G01N 1/28 X

Fターム (40件)：

2G001AA05 , 2G001BA06 , 2G001BA15 , 2G001CA04 , 2G001CA05 , 2G001GA08 , 2G001KA01 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001NA07 , 2G001NA15 , 2G042AA01 , 2G042BA09 , 2G042BA10 , 2G042BC12 , 2G042BC13 , 2G042BC14 , 2G042CA03 , 2G042CB06 , 2G042EA01 , 2G042EA02 , 2G042FA01 , 2G042FB02 , 2G052AA13 , 2G052EA02 , 2G052EB01 , 2G052EB11 , 2G052EC02 , 2G052FC02 , 2G052FD09 , 2G052GA15 , 2G052GA18 , 2G052GA24 , 2G052HB08 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106CB01 , 4M106CB02 , 4M106DH11 , 4M106DH60

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