特許

J-GLOBAL ID：200903046641591934

半導体記憶装置

発明者： 野口 健二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269991
公開番号（公開出願番号）：特開平5-081881
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 EEPROMにおいて、多数回書き換えを行った後にもメモリトランジスタのしきい値の十分なシフト量を得る。【構成】 メモリトランジスタの消去/プログラム回数を記憶する消去/プログラム回数記憶回路29を設け、ある所定回数書き換えを行った後には、高電圧パルスのパルス幅を決めている発振器15を今までのものよりも長い周期をもった発振器28に切り換えてパルスを発生するようにする。

請求項（抜粋）：

内蔵されたタイマ回路出力により、メモリトランジスタの書き換え時の高電圧のパルス幅を決定している電気的消去及び書き込み可能な不揮発性の半導体記憶装置において、メモリトランジスタの書き換え回数を計数し、所定の計数を超えた後に、上記高電圧のパルス幅を大きい値に変更する高電圧パルス幅変更手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 7/00 311 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 17/00 309 A ,  H01L 27/10 434