特許

J-GLOBAL ID：200903046644055235

鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜及びその製造方法

発明者： 守越 広樹
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025651
公開番号（公開出願番号）：特開平9-221393
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 c軸配向度が高い、鉛含有ペロブスカイト強誘電体単結晶膜の製造方法を提供すると共に、優れた誘電性、圧電性、光物性等を示す鉛含有ペロブスカイト強誘電体単結晶膜を提供することを目的とする。【解決手段】 c軸が基板表面に垂直な方向に配向していることを特徴とする鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜、及びメルトの過冷却温度が、強誘電体単結晶膜のキュリー点以下であって、該過冷却温度でエピタキシャル成長を行うことにより、形成したことを特徴とする前記鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

c軸が基板表面に垂直な方向に配向していることを特徴とする鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜。

IPC (3件)：

C30B 29/22 ,  C30B 19/12 ,  H01G 4/33

FI (3件)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 19/12 ,  H01G 4/06 102