特許
J-GLOBAL ID：200903046649972163
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108958
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295861
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 気相成長装置において、半導体ウェーハの搬送に際して品質の劣化を防ぎ、半導体ウェーハを表面吸着等の機械的搬送を可能にする半導体ウェーハの製造方法の提供。【構成】 エピタキシャル成長を行なうための半導体ウェーハに、予め所要厚みの酸化膜を設けて、表面吸着による搬送を可能にし、気相成長装置への搬入後に酸化膜を装置内で除去し、気相成膜した後再度保護酸化膜を設けることにより、表面吸着による搬送を可能にし、かつ不良発生率を大幅に低減した。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハにエピタキシャル成長による薄膜を設けるに際し、気相成長装置への搬入前にウェーハ表面に酸化膜を設けておき、搬入後に気相成長装置内で該酸化膜を除去して、所要のエピタキシャル成長による成膜を行い、さらに再度酸化膜を設けた後、気相成長装置外へ搬出することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
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