特許
J-GLOBAL ID：200903046652417111

シリコン含有2層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法

発明者：
中村 悦子

中村 悦子 について

, 
脇屋 和正

脇屋 和正 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343869
公開番号（公開出願番号）：特開2004-177667
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】ホトレジスト現像液に対する耐性に優れ、使用後の除去をホトレジスト剥離液にて行うことができ、基板のリワーク処理も容易とするシリコン含有2層レジストプロセス用下層膜材料と、この下層膜材料を用いた配線形成方法を提供する。【解決手段】所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂を樹脂成分として含有させて下層膜材料を構成する。前記樹脂成分は、少なくとも下記一般式(1)【化1】(式中、nは1以上の整数を表し、Xは炭素原子数1〜10の直鎖もしくは分岐状のアルキル鎖、芳香性もしくは脂環性の環状アルキル鎖、アルキルエステル鎖であり、Yは所定のエネルギーの印加を受けてスルホン酸残基を生じる置換基である。)で表される繰り返し単位を有するものが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に配線層を高い精度で形成するためのリソグラフィー用シリコン含有2層レジストを構成する下層膜の形成材料であって、 所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂成分と溶媒とを含有していることを特徴とするシリコン含有2層レジストプロセス用下層膜形成材料。
IPC (6件)：
G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213
FI (7件)：
G03F7/11 503 ,  G03F7/075 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/42 ,  H01L21/88 C ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 572B
Fターム (22件)：
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H025FA48 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096CA05 ,  2H096KA01 ,  2H096KA19 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ29 ,  5F033XX24 ,  5F046MA02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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