特許
J-GLOBAL ID：200903046658254508
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232869
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072037
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】粘着シートとして熱剥離性テープを用い、半導体ウェハを粘着シートに貼り付けた状態で個々の半導体チップに切断し、個々の半導体チップを正確にピックアップすることのできる技術を提供する【解決手段】ピックアップする半導体チップ2Aの下部へ真空吸着駒5を配置し、その半導体チップ2Aの裏面に貼付されたウェハシート1に吸着させることでピックアップする半導体チップ2Aの位置認識を行った後、半導体チップを個別に加熱するヒートブロック6を上昇させることによって、ヒートブロック6とウェハシート1とを接触させ、ピックアップする半導体チップ2Aを裏面より加熱する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
(a)素子形成面上に半導体素子が形成され、裏面に熱剥離性の粘着シートが貼付された半導体ウェハを用意する工程、
(b)前記半導体ウェハを個々の半導体チップへ分割する工程、
(c)ピックアップ対象の第1半導体チップの裏面の前記粘着シートを第1加熱手段により第1温度で加熱し、前記第1半導体チップと前記粘着シートとを剥離させる工程、
(d)前記(c)工程後、第1吸着手段により前記第1半導体チップを前記素子形成面を吸着することでピックアップする工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/301
, H01L21/50
, H01L21/52
, H01L21/68
H01L21/78 Q
, H01L21/50 C
, H01L21/52 F
, H01L21/68 E
, H01L21/78 M
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031MA39
, 5F031MA40
, 5F031PA30
, 5F047FA04
, 5F047FA08
, 5F047FA54
