特許

J-GLOBAL ID：200903046665718129

マスクを利用したシリコンの結晶化方法

発明者： ジュン, ユン-ホ
出願人/特許権者： エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156969
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022969
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 結晶サイズが大きい多結晶シリコンの製作方法、均一な結晶を有する多結晶シリコンの製作方法並びに、結晶サイズが大きくかつ均一な多結晶シリコンを利用して特性の向上した薄膜トランジスタの提供。【解決手段】 順次側面固状化(SLS)法によってシリコン膜を結晶化する方法に関する。第1及び第2方向に配列されて交互に直交する方向のストライプパターンを各々有する4領域でなされたマスクを利用して、非晶質シリコン膜が形成された基板をマスク幅の1/4だけ移動させてレーザービームを照射することによって、正四角形状の一定な大きさを有するグレーンを形成する。前記多結晶シリコン膜を利用して、電界効果移動度が高く均一な特性を有する薄膜トランジスタを製作する。

請求項（抜粋）：

第1スリットによって分離された多数の第1ストライプを有する第1領域と、第2スリットによって分離されて前記多数の第1ストライプと直交する多数の第2ストライプを有する第2領域と、第3スリットによって分離されて前記第1ストライプと平行な多数の第3スリットを有する第3領域と、第4スリットによって分離されて前記第2ストライプと平行な多数の第4スリットを有する第4領域とを含む順次側面固状化マスク。

Fターム (8件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA12 ,  5F052BB07 ,  5F052CA03 ,  5F052DA02 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01