特許
J-GLOBAL ID：200903046669343480
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003787
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200212
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 光出力残存率の初期劣化が極めて小さいInGaAlP系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子は、ガリウム・ヒ素に対して格子整合する発光層、クラッド層及びガリウム・ヒ素に対して格子不整合を生ずる電流拡散層をガリウム・ヒ素基板上に有する半導体発光素子において、発光層上に形成されたクラッド層と電流拡散層との間に、ガリウム・ヒ素に対して格子整合する層とガリウム・ヒ素に対して格子不整合を生ずる層との間の格子不整合を緩和する格子不整合緩和層を備えたものである。また、本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、上記半導体発光素子において、上記格子不整合緩和層を形成する工程を備えたものである。
請求項（抜粋）：
ガリウム・ヒ素に対して格子整合する発光層、クラッド層及び前記ガリウム・ヒ素に対して格子不整合を生ずる電流拡散層をガリウム・ヒ素基板上に有する半導体発光素子において、前記発光層上に形成された前記クラッド層と前記電流拡散層との間に、前記ガリウム・ヒ素に対して格子整合する層と前記ガリウム・ヒ素に対して格子不整合を生ずる層との間の格子不整合を緩和する格子不整合緩和層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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