特許

J-GLOBAL ID：200903046669735249

CVD装置

発明者： 西山 誠二郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096913
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299357
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 縦型CVD装置のウエーハ回転導入機構に関し,反応生成物の堆積を阻止して回転停止を防止することを目的としている。【構成】 気相反応によりウェーハ上に薄膜を堆積するチャンバと,チャンバ1の下端を密閉するキャップ24と,鉛直軸を軸芯とする回転軸25aを有し,キャップ24下面に密着して固設された回転真空シール25と,回転軸25aの下端を回転させる回転装置26と,キャップ24上に位置し,回転軸の25a上端に載設されたロータ21aと,キャップ24上に固設され,ロータ21aとラビリンスシール22を構成するケーシング23と,ロータ21a上に載設され,ウェーハを保持する回転台21とを有するCVD装置において,ケーシング23に,チャンバ1内の気圧よりも高圧のガスをラビリンスシール22の間隙に導入する1以上のガス導入孔23aを有して構成する。

請求項（抜粋）：

内部で第一のガスである原料ガスを反応させてウェーハ上に薄膜を堆積するためのチャンバと,該チャンバ(1)の下端に当接して密閉するキャップ(24)と,実質的に鉛直軸を軸芯とする回転軸(25a)を有し,該キャップ(24)下面に密着して固設された回転真空シール(25)と,該回転軸(25a)を回転させる回転装置(26)と,該キャップ(24)上に位置し,該回転軸の(25a)上端に載設されたロータ(21a)と,該キャップ(24)上に該ロータ(21a)に対向して固設され,該ロータ(21a)と共に反応生成物が該回転真空シール(25)に到達することを防止するためのラビリンスシール(22)を構成するケーシング(23)と,該ロータ(21a)上に載設され,該チャンバ内(1)にて該ウェーハを搭載する回転台(21)とを有するCVD装置(化学気相堆積装置)において,該反応生成物が該ラビリンスシール(22)の間隙に到達することを防止するための第二のガスを該ラビリンスシール(22)の間隙に導入するためのガス導入手段を有することを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22