特許
J-GLOBAL ID：200903046674001407
シリコン基板における陽極化成方法及び表面型の加速度センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-353686
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054478
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】HF系溶液の侵食を防止するための保護膜と、シリコン基板との密着性があり、多孔質化したい部分以外のところがHF系溶液に侵食されないシリコン基板の陽極化成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板2上にエピタキシャル成長層6、酸化膜8、パッシベーション膜12が形成されている。パッシベーション膜12の所定部分に設けられた開口部を残して、パッシベーション膜12の上面を全体的に、W(タングステン)からなる金属保護膜23が被覆されている。シリコン基板2を高濃度のフッ酸水溶液27中に浸漬し、シリコン基板2を陽極とし、金属保護膜23を対向電極として陽極化成を行う。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面に対して、所定の部分を除いて、金属自身及び当該金属シリサイドがともに耐HF性を有する金属保護膜を形成し、同金属保護膜にて覆われたシリコン基板をHF系溶液中に浸漬した状態で、同シリコン基板を陽極として、陽極化成を行うことを特徴とするシリコン基板における陽極化成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3063
, C25D 11/32
, G01P 15/12
, H01L 29/84
H01L 21/306 L
, C25D 11/32
, G01P 15/12
, H01L 29/84 A
