特許

J-GLOBAL ID：200903046678082550

光起電力装置及びその製造方法

発明者： 田口 幹朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-161360
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345463
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、結晶と非晶質の界面特性を向上させ、接合特性を改善することを目的とする。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板1とp型非晶質シリコ系薄膜3との間にi型非晶質シリコン薄膜2を介在させた光起電力装置において、シリコン基板1i型非晶系シリコン薄膜2とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。

請求項（抜粋）：

一導電型の結晶系シリコン基板と他導電型に荷電子制御された非晶質シリコン系薄膜との間に荷電子制御しないか或いは実質的に真性な非晶質系シリコン薄膜を介在させた光起電力装置において、結晶系シリコン基板と荷電子制御しないか或いは実質的に真性な非晶質系シリコン薄膜とが形成する界面領域にボロン原子を存在させることを特徴とする光起電力装置。

FI (3件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 H

Fターム (7件)：

5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051BA17 ,  5F051CA05 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051GA04