特許

J-GLOBAL ID：200903046681152569

受光素子および回路内蔵受光素子

発明者： 和田 秀夫 ,  大久保 勇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260666
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103668
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】移動速度が遅い光キャリアを低減することにより応答速度を高速化した受光素子を提供すること。【解決手段】本発明の受光素子では、N+型埋込拡散層6がP+型埋込拡散層2の下に形成されていることにより、P+型埋込拡散層2の不純物濃度のピーク位置からN+埋込拡散層6までの領域にて発生した光キャリアは、P+型埋込拡散層2とN+埋込拡散層6とのPN接合による空乏層内に取り込まれ、フォトダイオードの出力に寄与することはない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の第1導電型半導体層と、該第1の第1導電型半導体層の一方の面上に設けられた第1の第2導電型半導体層と、該第1の第2導電型半導体層を貫通して該第1の第1導電型半導体層に達して、該第1の第2導電型半導体層を複数の第2導電型領域に分割するように形成された第1導電型領域とを備え、該第2導電型領域および該第1導電型領域を用いて信号光を電気信号として出力する受光素子であって、 該第1の第1導電型半導体層の他方の面上に設けられた第2の第1導電型半導体層と、 該第1の第1導電型半導体層に対向するように、該第2の第1導電型半導体層の一方の面上に設けられた第2の第2導電型半導体層と、 該第1の第1導電型半導体層に対向するように、該第2の第2導電型半導体層の一方の面上に設けられた酸化膜と、 該第1の第1導電型半導体層に対向するように、該酸化膜の一方の面上に設けられた第1導電型半導体基板と、 をさらに備える、受光素子。

IPC (3件)：

H01L31/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146

FI (4件)：

H01L31/10 A ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 E ,  H01L27/14 A

Fターム (18件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA02 ,  4M118BA30 ,  4M118CA05 ,  4M118CA18 ,  4M118CB13 ,  4M118EA01 ,  4M118FC18 ,  4M118GA10 ,  5F049MA02 ,  5F049MB12 ,  5F049NA03 ,  5F049NB08 ,  5F049PA09 ,  5F049PA11 ,  5F049QA15