特許
J-GLOBAL ID：200903046682386237
薄膜コイルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007328
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211571
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】少ない工程数で高品質,かつQ値の高いコイル導体の厚膜化が実現できる薄膜コイルの製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1にSiO2 膜2を形成した上で、その表面に単層の薄膜導体層(金属材料:W)のめっき下地電極11を形成する工程と、該めっき下地電極の表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法でコイル導体の形成パターンに対応した選択めっきマスク12を形成する工程と、前記のフォトレジストをめっきマスクとしてめっき下地電極が露出する部分に選択的に電解めっき法によりコイル導体(金属材料:Cu)13を電着形成させる工程と、前記めっきマスクを取り除いた上で、コイル導体形成部以外のめっき下地電極をエッチングして除去する工程と、前記コイル導体を覆って基板上に絶縁層となる樹脂14をコーティングする工程とを経て薄膜コイルを作成する。
請求項（抜粋）：
基板の表面に単層の薄膜導体層としてなるめっき下地電極を形成する工程と、該めっき下地電極の表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法でコイル導体の形成パターンに対応した選択めっきマスクを形成する工程と、前記のフォトレジストをめっきマスクとしてめっき下地電極が露出する部分に選択的に電解めっき法によりコイル導体を電着形成させる工程と、前記めっきマスクを取り除いた上で、コイル導体形成部以外のめっき下地電極をエッチングして除去する工程と、前記コイル導体を覆って基板上に絶縁層となる樹脂をコーティングする工程とを含むことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。
IPC (2件)：
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