半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安村高明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210791
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082541
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】ソース,ドレインの不純物導入をイオン注入する時に注入イオンがゲート電極を突き抜けてチャンネル領域まで侵入されるのを防ぐようにする。【構成】ソース,ドレインの不純物導入を行う際には、ゲート電極を絶縁膜で覆って注入イオンがゲート電極を突き抜けることが阻止されるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上面にゲート電極を設け、該ゲート電極の全面を絶縁膜で被覆してのち、前記半導体基板の全面から該基板の中へソース・ドレインの不純物の導入するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

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