特許

J-GLOBAL ID：200903046686430834

半導体装置の製造方法

発明者： 河野 有美子 ,  竹安 伸行 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026502
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222563
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 ヴィアプラグ及び上側金属配線層を同時に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 層間絶縁膜を形成した後ヴィアホールを形成する前又は形成した後に層間絶縁膜に酸素プラズマ処理を施す。酸素プラズマ処理により層間絶縁膜の表面が活性化され、DMAHを原料とするCVD法によりヴィアホールの内部だけでなく層間絶縁膜上にも金属材料を堆積させることができる。この結果、ヴィアプラグ及び上側金属配線層を同時に形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に多層配線構造を形成するに際し、半導体基体上にアルミニウムを含む下側の金属配線層を形成する工程と、前記金属配線層をパターニングして下側の金属配線を形成する工程と、前記金属配線上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にヴィアホールを形成する工程と、前記層間絶縁膜に酸素を含むプラズマを照射する工程と、前記ヴィアホールの底部の下側金属配線の表面を清浄化する工程と、DMAHを原料とするCVD法により前記ヴィアホール内及び前記層間絶縁膜上に金属材料を同時に堆積させる工程とを具えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A