特許

J-GLOBAL ID：200903046688200763

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 後藤 康正 ,  上村 孝明 ,  川久 慶人 ,  中島 充雄 ,  鈴木 光明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348473
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193252
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 低リ-ク電流の薄膜半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 多結晶シリコン膜に設けられた、ソ-ス領域、ドレイン領域、及びこれらソ-ス及びドレイン領域に挟まれたチャンネル領域を具備する薄膜トランジスタにおいて、前記ドレイン領域、又はソ-ス及びドレイン領域は、前記チャネル領域に隣接する第1の領域と、第2の領域とからなり、前記第1の領域と第2の領域は、同一又は近似する不純物濃度を有し、前記第1の領域の抵抗値は、前記第2の領域よりも高いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン膜に設けられた、ソ-ス領域、ドレイン領域、及びこれらソ-ス及びドレイン領域に挟まれたチャンネル領域を具備する薄膜トランジスタにおいて、前記ドレイン領域、又はソ-ス及びドレイン領域は、前記チャネル領域に隣接する第1の領域と、第2の領域とからなり、前記第1の領域と第2の領域は、同一又は近似する不純物濃度を有し、前記第1の領域の抵抗値は、前記第2の領域よりも高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-283611
  
• 特開平3-034433
  
• 特開平3-283626