特許

J-GLOBAL ID：200903046698560512

量子井戸レーザを有する装置

発明者： グリゴリー ベレンキイ ,  ルドルフ フェオドー カザリノフ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167880
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018162
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 光ファイバ通信システムなどに使用する無冷却レーザ用として、比較的低い温度依存性を有する量子井戸レーザを提供する。【構成】 量子井戸レーザは、活性領域37からp-サイド導波路層35への電子の流れに対するバリアを提供する電子停止層36と、p-サイドクラッド層34とを有する。量子井戸レーザは、望ましくは、活性領域からn-サイド導波路層39へのホールの流れに対するバリアを提供するホール停止層38も有する。典型的なInPベースのレーザは、AlInGaAs量子井戸層、バリア層、AlInAs電子停止層、及びInPホール停止層を有する。本発明の量子井戸レーザは、しきい電流や外部量子効率などについて比較的低い温度依存性を有するため、光ファイバ通信システムなどに有利に組み込むことができる。

請求項（抜粋）：

基板に設けられた多層半導体構造とこの多層構造を通る電流の流れを促進する接点とを有し、前記多層構造は、伝導バンドエッジ、n-サイド導波路層、少なくとも一つの量子井戸を含む活性領域、p-サイド導波路層を有し、前記活性領域は前記導波路層の間に配置される、という構成の量子井戸レーザを有する装置において、前記多層構造はさらに、前記少なくとも一つの量子井戸と前記p-サイド導波路層との間に配置される電子停止層を有し、この電子停止層は、前記伝導バンドエッジの不連続性に関連するエネルギーオフセットの50%以上で、少なくともInPのバンドギャップエネルギーと同じ大きさのバンドギャップエネルギーEgを有するように選択され、かつ、前記活性領域から前記p-サイド導波路層への電子の流れに対するバリアを提供するように選択されることを特徴とする、量子井戸レーザを有する装置。