特許

J-GLOBAL ID：200903046699189257

ランプアニール装置および表示素子用基板

発明者： 森田 幸弘 ,  西谷 幹彦 ,  澁谷 宗裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-026790
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319887
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 特性の優れた半導体膜を製造することができ、かつ同一基板内または基板間で得られる半導体膜の特性等のばらつきが小さいランプアニール装置を提供する。【解決手段】 ランプアニール装置に半導体膜を選択的に加熱する手段を設け、アニール中の基板の温度上昇を抑制する。また、アニール処理された半導体膜からの反射光または透過光に基づいてアニール処理をフィードバック制御する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体膜をアニールするためのランプアニール装置であって、透明基板に向けて加熱のための光を投射する光投射手段、および前記透明基板と前記光投射手段の間に配され前記透明基板上の所定領域を選択的に加熱する選択加熱手段を具備するランプアニール装置。

IPC (3件)：

H01L 21/26 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/26 J ,  H01L 21/26 T ,  H01L 29/78 627 F