特許

J-GLOBAL ID：200903046699280947

ドライエッチング方法

発明者： 長山 哲治 ,  柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147525
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343364
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 トレンチ加工、ゲート加工等のシリコン系材料層のエッチングを低汚染化、高選択化、低ダメージ化する。【構成】 シャロー・トレンチ1a,1bの形成において、単結晶シリコン基板1をNOCl(塩化ニトロシル)/SF6 混合ガスを用いてエッチングする。このとき、レジスト・マスク4の分解生成物に由来して形成される炭素系ポリマーCClx に、ニトロシル基(>N=O)等が導入されて強い化学結合と静電吸着力が付与され、強固な側壁保護膜7が形成される。異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量が低減でき、レジスト選択性が向上し、パーティクル汚染を低減できる。ガスにS2 Cl2 等を添加してS(イオウ)の堆積を併用すれば、更にプロセスを低汚染化、高選択化できる。ゲート電極加工に適用すれば、有望な脱CFC対策となる。

請求項（抜粋）：

分子内にニトロシル基もしくはニトリル基の少なくとも一方の官能基とハロゲン原子とを有するハロゲン化合物を含むエッチング・ガスを用い、少なくともエッチング・パターンの側壁面上に炭素系ポリマーを堆積させながらシリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00