特許

J-GLOBAL ID：200903046703502950

半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法

発明者： 李 濟 チョル ,  金 秉 眞
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309494
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004075
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体写真工程時にフォトレジストを含む現像液をウェーハから迅速に除去するための洗浄装置を提供する。【解決手段】 一端が洗浄液供給源32に連結され、ウェーハ48上に洗浄液を供給するための洗浄液供給ライン40と、一端がガス供給源34に連結され、ウェーハ上にガスを供給するためのガス供給ライン42と、洗浄液供給ライン及びガス供給ラインのそれぞれの他端が連結されて、供給された洗浄液とガスを混合するとともにウェーハ側に向けた噴射ノズル46を備えるノズル組立体44とからなる。従って、ガスの圧力を受けて洗浄液が加圧されて噴射されるので、ウェーハの洗浄時間が短縮され、洗浄液の使用量を削減でき、さらに洗浄効率を高めることができる。

請求項（抜粋）：

一端が洗浄液供給源に連結され、ウェーハ上に洗浄液を供給するための洗浄液供給ラインと、一端がガス供給源に連結され、ウェーハ上にガスを供給するためのガス供給ラインと、前記洗浄液供給ライン及び前記ガス供給ラインのそれぞれの他端が連結されて、供給された洗浄液とガスを混合するとともに、ウェーハ側に向けた噴射ノズルを備えるノズル組立体と、からなることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 341 G ,  H01L 21/30 569 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-084027
  
• 洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248601   出願人：大陽東洋酸素株式会社
• 特開平4-084027