DRAMセル

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175453
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【構成】半導体基板1に絶縁膜2を介して、薄膜トランジスタが形成され、キャパシタ部は、前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域6及び反転ビット線(図示せず)し接続されている。【効果】キャパシタに蓄積される電荷量を小さくすることなく、キャパシタの一端を反転ビット線又はビット線に接続されたDRAMセルを形成することができる。

請求項（抜粋）：

1つのトランジスタと1つのキャパシタとを有し、該キャパシタの一端がビット線又は反転ビット線に接続されているDRAMセルにおいて、上記トランジスタに薄膜トランジスタを用いたことを特徴とするDRAMセル。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 325 H , H01L 29/78 311 C

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