特許

J-GLOBAL ID：200903046708050135

強誘電体メモリおよびその製造方法

発明者： 松下 重治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-172035
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368198
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】製造プロセスを簡略化することが可能な強誘電体メモリを提供する。【解決手段】この強誘電体メモリは、ソース領域1およびドレイン領域2を有するトランジスタ10と、ソース領域1およびドレイン領域2にそれぞれ接続された電極4および5と、電極4および5上に形成された強誘電体膜6と、強誘電体膜6上に形成されたフローティング電極7とを含むメモリセルを備えている。

請求項（抜粋）：

一対のソース/ドレイン領域を有するトランジスタと、前記一対のソース/ドレイン領域にそれぞれ接続された第1電極および第2電極と、前記第1電極上および前記第2電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成されたフローティング電極とを含むメモリセルを備えた、強誘電体メモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 501

FI (2件)：

G11C 11/22 501 A ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (19件)：

5F083FR01 ,  5F083FR10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083JA12 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA20 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40