特許

J-GLOBAL ID：200903046708067879

ビーム方向が制御可能なマイクロチップレーザー

発明者： ヴァレット セルジュ
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (1件)： 西脇 民雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007980
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221376
出願日： 1995年01月23日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 低コストでかつ簡単な構造でビーム方向を自由に制御できるビーム方向が制御可能なマイクロチップレーザーを提供する。【構成】 ビーム方向が制御可能なマイクロチップレーザーは、固体増幅媒体1、7、8、入射ミラー2、9、10、出射ミラー3、11、12、21を有する共振キャビティ、キャビティ内に配置されて飽和吸収薄膜からなる増幅媒体からの少なくとも1本のポンピングビームを出射する光学手段5、13、16、増幅媒体内でポンピングビームの方向を変化させる手段、ポンピングビームの方向に拘らずレーザービームを生成する幾何学的形状を有するキャビティからなる。

請求項（抜粋）：

固体増幅媒体、入射ミラー、出射ミラーを有する共振キャビティ、キャビティ内に配置されて飽和吸収薄膜からなる増幅媒体からの少なくとも1本のポンピングビームを出射する光学手段、増幅媒体内でポンピングビームの方向を変更する手段、ポンピングビームの方向に拘らずレーザービームを生成する幾何学的形状を有するキャビティからなるビーム方向が制御可能なマイクロチップレーザー。

IPC (3件)：

H01S 3/094 ,  H01S 3/101 ,  H01S 3/25

FI (2件)：

H01S 3/094 S ,  H01S 3/23 S