特許

J-GLOBAL ID：200903046711470099

接続孔形成方法

発明者： 角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353995
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013341
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】接続孔の形成方法において、ソース/ドレイン領域あるいはゲート電極領域上に、良好なるオーミックコンタクトを得ることができるチタンシリサイド層を形成し得る方法を提供する。【構成】本発明の接続孔の形成方法は、半導体基板上に形成されたチタンシリサイド層28の上に層間絶縁層32を堆積させ、層間絶縁層に開口部34を設けてチタンシリサイド層の一部分を露出させた後、開口部内に金属配線材料を堆積させて接続孔を形成する方法である。そして、金属配線材料を堆積させる前に、露出したチタンシリサイド層にイオン衝撃処理を施すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたチタンシリサイド層の上に層間絶縁層を堆積させ、該層間絶縁層に開口部を設けてチタンシリサイド層の一部分を露出させた後、該開口部内に金属配線材料を堆積させて接続孔を形成する接続孔形成方法であって、金属配線材料を堆積させる前に、露出したチタンシリサイド層にイオン衝撃処理を施すことを特徴とする接続孔形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-071547
  
• 特開平3-060126
  
• 特開昭53-047766