特許
J-GLOBAL ID：200903046723242334
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-036747
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243275
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 ランプアニールでの酸化工程において発生した半導体ウエハーの非線型な歪みを解消させ、リソグラフィ工程において良好なアライメント精度を確保可能な半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】ランプアニールでの酸化工程の後に、N2雰因気中での1000°C以上の熱処理を行う事により半導体ウエハーの非線型な歪みを解消できる。非線型な歪みを解消する事により、その後のリソグラフィ工程においてアライメントずれを抑制ないしは防止する事が可能となり、焼き付け精度を向上させる事ができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板をランプアニール装置により酸化する工程と、前記半導体基板を炉を用いて温度1000°C以上のN2雰囲気中で熱処理する工程と、前記半導体基板をリソグラフィ工程によりパターニングする工程と、からなる半導体装置の製造方法。
Fターム (1件)：
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