特許
J-GLOBAL ID：200903046724691000
窒化ケイ素質焼結体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138404
公開番号（公開出願番号）：特開平6-345535
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：
【要約】【構成】 ケイ素(Si)粉末を主成分とし、これに少量のY2O3等の3A族元素酸化物と窒化ケイ素粉末を添加して成形し、この成形体を窒素ガス含有雰囲気中で窒化処理し、その後、窒素ガス雰囲気中で焼結処理することで窒化ケイ素質焼結体を製造する。【効果】 焼結助剤をY2O3等の3A族元素酸化物と窒化ケイ素粉末とで構成することで、加熱・窒化処理の段階で例えばY2O3-Si3N4結晶相の前駆体であるY8Si4N4O14を少量生成し、これを次の高温焼結処理の段階で耐熱性メリライト構造であるY2Si3N4O3に変化させ、このY2Si3N4O3の生成により、焼結体の結晶粒界での低融点のガラス相の生成を防止するので、焼結体の高温強度を向上することができる。
請求項（抜粋）：
ケイ素(Si)粉末を主成分とし、これに少量のY2O3等の3A族元素酸化物と窒化ケイ素粉末を添加して成形し、この成形体を窒素ガス含有雰囲気中で窒化処理し、その後、窒素ガス雰囲気中で焼結処理することを特徴とした窒化ケイ素質焼結体の製造方法。
IPC (2件)：
C04B 35/58 102
, C04B 35/58
