特許
J-GLOBAL ID：200903046727875064
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267302
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116153
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 オン抵抗を減少させることができるとともに高耐圧とし得、しかもしきい値電圧の調整が容易になる半導体装置を提供すること。【解決手段】 N型の第1エピ層20とN型の第2エピ層40の間にN+ 型のエピ層(高濃度層)30を有するエピ層構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1導電型の第1エピタキシャル層と、前記第1エピタキシャル層上に形成され、前記第1エピタキシャル層より濃度が高い第1導電型の高濃度層と、前記高濃度層上に形成され、前記高濃度層より濃度が低い第1導電型の第2エピタキシャル層と、前記第2エピタキシャル層と前記高濃度層に形成された第2導電型ウェルと、前記第2導電型ウェルに形成された第1導電型の拡散領域とを具備することを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 G
, H01L 29/78 301 D
, H01L 29/78 655 B
