特許
J-GLOBAL ID：200903046729521820
半導体センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡戸 昭佳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-013584
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214706
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 ストッパ構造を有するとともに少ないプロセス数で製造できる半導体センサの構造および製造方法を提供すること。【解決手段】 おもり部に櫛歯構造体13を,固定部に櫛歯構造体14をそれぞれ設け,櫛歯構造体13,14の相対する面を傾斜面13a,13b,14a,14bとし,櫛歯構造体13,14が互いにオーバーラップするように傾斜のオフセット角θを定めた。このため,加速度を受けておもり部が変位する場合でも,その変位の大きさは,櫛歯構造体13が櫛歯構造体14に接触するまでの範囲内に限定される。また,左半分と右半分とで傾斜を逆向きにして,接触時に生じる横方向の応力が打ち消されるようにした。この構造は,反応性イオンエッチングにより,横方向の電界をイオンに印加しながらエッチングすることにより,少ないプロセス数で形成できる。
請求項（抜粋）：
固定部とおもり部とを有し,前記固定部に対する前記おもり部の変位により力学量を検出する半導体センサにおいて,前記固定部に,前記変位の方向に対し所定のオフセット角に傾斜された第1の面が形成され,前記おもり部に,前記第1の面に対向する第2の面が形成され,前記第2の面は,前記おもり部が前記変位の方向に変位することにより前記第1の面に接触しうる位置に配置されていることを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 Z
, G01P 15/125
