特許

J-GLOBAL ID：200903046730132722

半導体不良解析方法及び半導体不良原因絞込み方法

発明者： 小野 眞 ,  根本 和典 ,  那倉 康一 ,  池田 洋子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-330167
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096121
出願日： 2003年09月22日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】ウェーハの電気検査の結果を有効に活用し、不良原因を的確かつ迅速に絞り込むことができるようにする。【解決手段】ウェーハの電気検査の結果であるダイ毎の良品,不良品のカテゴリからなるウェーハマップ10を用い、不良カテゴリの隣接性からプロセスマージン起因領域11と異物起因領域11とに領域分けし、このウェーハ21の、例えば、寸法検査の測定点を、プロセスマージン起因領域11に属する測定点32と異物起因領域11に属する測定点31とに仕分けする。そして、プロセスマージン起因領域11に属する測定点32での寸法測定値のヒストグラム13と異物起因領域11に属する測定点31での寸法測定値31のヒストグラム14とを作成し、これらヒストグラム13,14を比較することにより、プロセスマージン起因不良あるいは異物起因不良の原因を絞り込む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体のウェーハ製造工程において、 製造工程における半導体のウェーハの電気検査の結果である良品,不良品のウェーハマップからそのマップ成分に基づいて該ウェーハを複数の領域に領域分けし、 パラメトリック検査や寸法検査,異物検査,外観検査,膜厚検査,合わせ検査などの該ウェーハのインライン検査の結果を不良起因成分に基づいて領域分けされた夫々の該領域毎に仕分けし、 仕分けされた該各領域毎の該インライン検査の結果のデータ分布を互いに比較して半導体などの不良原因を絞り込むことを特徴とする半導体不良原因絞込み方法。

IPC (2件)：

H01L21/66 ,  H01L21/02

FI (3件)：

H01L21/66 Z ,  H01L21/66 A ,  H01L21/02 Z

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA38 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不良解析装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009967   出願人：株式会社日立製作所