特許

J-GLOBAL ID：200903046730893804

面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザの製造方法

発明者： 金子 剛 ,  近藤 貴幸 ,  西田 哲朗
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053001
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244563
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 レーザ光の偏光方向の制御が可能である面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 面発光型半導体レーザ100は、共振器120の一部に柱状部110が形成され、共振器120は、下部ミラー103、活性層105、および上部ミラー117が積層されて形成される。上部ミラー117は、柱状部110に含まれ、第1の半導体堆積層114と、第1の半導体堆積層114の外側面に連続する第2の半導体堆積層118とを含む。第2の半導体堆積層118は、第1半導体層118a、第2半導体層118b、障壁層118c、および電流狭窄層111を含む。第1の半導体堆積層114は、第1半導体層114a、第2半導体層114b、および電流流域層107aを含む。

請求項（抜粋）：

共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体を含み、前記共振器は、下部ミラー、活性層、および上部ミラーが積層されて形成され、前記上部ミラーは、前記柱状の半導体堆積体に含まれ、第1の半導体堆積層と、該第1の半導体堆積層の外側面に連続する第2の半導体堆積層とを含み、前記第2の半導体堆積層は、交互に積層される2種の半導体層と、該2種の半導体層よりもエネルギーバンドギャップが大きくかつ屈折率が小さい障壁層と、電流狭窄層とを含み、前記第1の半導体堆積層は、前記第2の半導体堆積層を構成する2種の半導体層とほぼ同様の組成を有する2種の半導体層と、前記電流狭窄層と連続する電流流域層とを含む、面発光型半導体レーザ。

Fターム (6件)：

5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073CA04 ,  5F073DA24 ,  5F073DA27 ,  5F073EA22